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鄭州科佳電爐有限公司
主營產品： 箱式馬弗爐，管式爐，氣氛爐等 |
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鄭州科佳電爐有限公司
主營產品： 箱式馬弗爐，管式爐，氣氛爐等 |
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PT-CVD-1700-60*300-F3高溫化學氣相沉積系統 簡單介紹：產品介紹：該高溫化學氣相沉積系統的工作溫度為300℃至1600℃，配備真空泵，氣體混合裝置 產品型號：PT-CVD-1700-60*300-F3 所在地： 更新時間：2023-02-24 |
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KJ-T12001200雙溫區觸摸屏CVD系統 簡單介紹：簡介：KJ-T1200CVD是一種管式爐，配備60mm直徑氧化鋁管、真空泵和四通道質量流量計+一個浮子流量計氣體流動系統 產品型號：KJ-T1200 所在地： 更新時間：2023-02-23 |
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KJ-PECVD-1200-50*300-F31200℃PECVD系統 簡單介紹：產品介紹：PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜 產品型號：KJ-PECVD-1200-50*300-F3 所在地： 更新時間：2023-02-23 |
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KJ-T1200-JCY卷對卷PECVD設備 簡單介紹：產品介紹：卷對卷式PECVD是等離子增強型化學氣相沉積設備（PECVD），并加裝了收放卷裝置 產品型號：KJ-T1200-JCY 所在地： 更新時間：2023-02-23 |
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KJ-T1600 CVD1600 CVD 系統 簡單介紹：產品介紹：KJ-CVD是一種分體式管式爐，配備60mm直徑的石英管、真空泵和四通道質量流量計氣體流動系統 產品型號：KJ-T1600 CVD 所在地： 更新時間：2023-02-23 |
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KJ-T1200-PEPECVD系統 簡單介紹：產品介紹：該產品是由射頻電源、氣體質子流量控制系統、襯底控溫系統、真空系統組成，適用于室溫至1200℃條件下進行SiO2、SiNx薄膜的沉積，同時可實現TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態氣態源沉積其它材料，尤其適合于有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積 產品型號：KJ-T1200-PE 所在地： 更新時間：2023-02-23 |
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KJ-T1200-S4401200度CVD設備 簡單介紹：產品介紹：KJ-T1200CVD是一種管式爐，配備100mm直徑石英管、真空泵和五通道質量流量計氣體流動系統 產品型號：KJ-T1200-S440 所在地： 更新時間：2023-02-23 |
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KJ-T1200 PECVD混氣PECVD設備 簡單介紹：產品描述：KJ-T1200PECVD是一種PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）的管式爐系統，它由500W射頻電源、帶有200毫米直徑石英管的可拆分管式爐、真空泵和三通道質量流量計氣體流動系統組成 產品型號：KJ-T1200 PECVD 所在地： 更新時間：2023-02-23 |
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KJ-PECVD-D1等離子體增強化學氣相沉積系統 簡單介紹：產品介紹：等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術是借助于輝光放電（等離子體）使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜技術生長的一種系的制備技術 產品型號：KJ-PECVD-D1 所在地： 更新時間：2023-02-23 |
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KJ-T1200-W2雙爐體CVD設備 簡單介紹：產品介紹：該雙爐體CVD系統為定制款，適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗 產品型號：KJ-T1200-W2 所在地： 更新時間：2023-02-23 |
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KJ-OTF-1700-F5三溫區CVD設備 簡單介紹：產品特點：1、控制電路選用模糊PID程控技術，該技術控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡單 產品型號：KJ-OTF-1700-F5 所在地： 更新時間：2023-02-23 |
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KJ-T1600 -3M3通道CVD設備 簡單介紹：簡單介紹：KJ-T1600CVD是一種管式爐，具有80mm直徑的氧化鋁管和三通道質量流量計氣體流動系統 產品型號：KJ-T1600 -3M 所在地： 更新時間：2023-02-23 |
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KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯生長爐PECVD設備 簡單介紹：產品介紹：KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯制備機是由KJ-T1200開啟式滑軌管式爐、真空系統、質量流量計氣路系統、等離子電源系統組成 產品型號：KJ-T1200-S60LC-H2 所在地： 更新時間：2023-02-23 |
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KJ-1200T-S60LK3-3FZ1200度三溫區CVD管式爐 簡單介紹：產品介紹：KJ-1200T-S60LK3-3FZ型CVD管式爐由KJ-T1200管式爐+真空系統+供氣系統組成，溫度可以達到1200度,可以是單溫區、雙溫區、三溫區等，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節可以是質子流量計或浮子流量計，混氣路數可以是2路、3路、4路、5路相混合 產品型號：KJ-1200T-S60LK3-3FZ 所在地： 更新時間：2022-01-22 |
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KJ-T1200-S6012LK1-3FH5S1200℃高溫真空CVD設備 簡單介紹：產品介紹：KJ-T1200-S6012LK1-3FH5S型高溫真空CVD設備由KJ-T1200滑動式快速退火管式爐+真空系統+供氣系統組成 產品型號：KJ-T1200-S6012LK1-3FH5S 所在地： 更新時間：2022-01-22 |
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KJ-T1200-S6015LK1-4Z5S混氣管式PECVD系統 簡單介紹：KJ-T1200-S6015LK1-4Z5S多路混氣管式PECVD系統，由KJ-T1200單溫區管式爐、真空系統、質子流量計、射頻電源系統系統組成 產品型號：KJ-T1200-S6015LK1-4Z5S 所在地： 更新時間：2022-01-22 |
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KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S1200℃石墨烯生長爐 簡單介紹：產品介紹：KJ-T1200-S6012LK1-4Z5S型石墨烯生長爐由KJ-1200T管式爐+真空系統+供氣系統+水冷系統組成，溫度可以達到1200度,可以是單溫區、雙溫區、三溫區等，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節可以是質子流量計或浮子流量計，混氣路數可以是2路、3路、4路、5路相混合 產品型號：KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S 所在地： 更新時間：2022-01-22 |
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KJ-T1200-S60K-4C四路高溫真空CVD設備 簡單介紹：產品介紹：KJ-T1200-S60K-4C型四路高溫真空CVD設備由KJ-T1200滑動式快速退火管式爐+真空系統+供氣系統組成，溫度可以達到1200度，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節可以是質子流量計，可以對多種氣體進行精確的混氣，然后導入到管式爐內部 產品型號：KJ-T1200-S60K-4C 所在地： 更新時間：2022-01-21 |
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KJ-M1200(1400/1700)-Z箱式化學氣相沉積系統 簡單介紹：產品介紹：液壓鐘罩氣氛爐采用爐體和智能控制一體化設計，整個爐體美觀、大方 產品型號：KJ-M1200(1400/1700)-Z 所在地： 更新時間：2022-01-21 |
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KJ-T1200-S80-DZPECVD-R旋轉PECVD系統 簡單介紹：產品用途：PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜 產品型號：KJ-T1200-S80-DZPECVD-R 所在地： 更新時間：2022-01-21 |
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